硅膜厚度测量
发布时间:2023-09-07

硅膜厚度测量

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实验光路图

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实物光连接图

实验背景目的:

各种介质、半导体和金属的薄膜在电子工业、光学工业和化学工业等得到了广泛的使用。膜层的厚度对器件或仪器的性能有直接影响。如硅徽型电路的介质层的厚度和成分,对半导体工业具有很大的重要性,这些膜层的厚度将决定集成电路器件的性能和可靠性。莱森光学可提供膜厚测量服务,通过无损的光学测量方法,基于白光干涉原理,使用光纤光谱仪实现膜厚测量,以比传统的方法更精度更高,测量速度更快地测量硅片膜厚

实验结果:

实验使用单晶硅作为白参考,所以以下的实验数据都是考虑了单晶硅的反射率的。以下计算薄膜的算法使用的是光谱白光干涉,拟合使用L-M拟合和PS优化结合使用。计算结果如下表格:

样品名字/位置

厚度/nm

样品1-1

600.021

样品1-2

601.498

样品1-3

604.675

样品1-4

601.737

样品1-5

596.645

样品2-1

417.323

样品2-2

417.001

样品2-3

419.159

样品2-4

418.875

样品2-5

418.504

样品3-1

510.566

样品3-2

575.974

样品3-3

579.537

样品3-4

445.861

样品3-5

440.772

 

 

 

样品1-1

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样品1-2

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样品1-3

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样品1-4

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样品1-5

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样品2-1

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样品2-2

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样品2-3

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样品2-4

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样品2-5

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样品3-1

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样品3-2

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样品3-3

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样品3-4

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样品3-5

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实验结论:

编号

平均膜厚(nm)

标准偏差值

1

601.98275

2.9234102%

2

418.1724

0.957946136%

3

510.542

67.25537504%